武汉新新50纳米码闪存芯片批量生产

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《湖北日报》(记者李默、通讯员华健)6月4日，武汉新新集成电路制造有限公司透露，其自主研发的50纳米浮栅码闪存芯片已批量生产。

目前，在全球或非门闪存芯片领域，行业通用技术是65纳米。武汉新新的新一代50纳米技术已接近此类芯片的物理极限，存储单元面积和存储密度均达到国际先进水平。

据了解，武汉新新50纳米闪存技术在2019年12月取得突破，然后投入批量生产准备。武汉新新花了18个月的时间从65纳米跃升至50纳米。

闪存是指非易失性存储介质。大批量生产的产品是XM25QWxxC系列宽电源电压产品，其容量覆盖16万亿至256万亿。性能测试表明，该系列或非门闪存芯片在1.65伏至3.6伏的电压范围内工作频率可达133兆赫，即使在-40℃或105℃的极端温度下，“跳核”也不会停止。其无障碍重复擦除可达10万次，数据存储时间可长达20年。

据R&D人员介绍，作为或非门闪存芯片中的“闪存”，该芯片可以在连续读取模式下实现高效的内存访问，并且只需8个时钟指令周期即可读取24位地址。不仅如此，它还可以将便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上，使用户能够通过宽电压功能实现更好的库存管理。

"这项研究和开发最困难的挑战是速度、功耗和可靠性."武汉新新运营中心副总裁孙鹏表示，随着50纳米NOR闪存的突破，武汉新新将进一步提高性能和成本竞争力，继续开发自有品牌的闪存产品，并为快速增长的物联网和5G市场拓展产品线。

最近，武汉新新与业界领先的物联网核心芯片和解决方案平台乐心科技达成长期战略合作。双方将围绕物联网应用市场合作开发物联网、存储芯片和应用解决方案。乐心科技CEO张瑞安表示，武汉新新NOR闪存芯片支持低功耗、宽电压运行，能够满足平台所有物联网芯片、智能家居和工业模块的应用需求。

武汉新新成立于2006年，专注于R&D和或非门闪存芯片的制造，以世界领先的半导体三维集成制造技术，在图像传感器、射频芯片和动态随机存储器等产品上不断实现性能和架构突破。

来源：荆州新闻