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证券时报网络。1月24日,

21日,《美国科学》杂志发表了eecs彭练矛和张志勇在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破:首次制备了栅极长度为5纳米的高性能碳纳米管晶体管,并证明其性能超过了相同尺寸的硅基cmos场效应晶体管,将晶体管性能推向了理论极限。

据《科技日报》24日报道,由于主流硅基cmos技术正面临尺寸缩小的限制,20多年来,科学界和工业界一直在探索各种具有新材料和新原理的晶体管技术,但还没有实现10纳米新cmos器件的机制。彭练矛教授说,经过10多年的研究,他的研究小组开发出了一种未掺杂的制备方法,并研制出了一种10纳米碳纳米管顶栅cmos场效应晶体管,其P型和N型器件在较低的工作电压(0.4v)下性能优于目前最好的硅基cmos。现在,他们已经克服了尺寸减小的技术限制,成功地开发了栅极长度为5纳米的碳纳米晶体管。

我国纳米领域研究获世界级突破 关注相关概念股

相关纳米概念股:

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(证券时报新闻中心)

来源:荆州新闻

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