32层三维NAND闪存芯片将于年内量产

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芯片被誉为高端制造业的“皇冠明珠”，是一个国家制造业和科技实力的象征。然而，由于技术、投资和相关制度机制等因素，中国芯片产业发展缓慢，主要产品依赖进口。

现在，这种尴尬的局面有望被彻底打破。4月11日，国家存储基地项目第一套芯片生产设备安装完毕，标志着国家存储基地从厂房建设阶段进入生产准备阶段。与此同时，中国第一批拥有完全自主知识产权的32层3D与非门闪存芯片将在今年内批量生产，这将填补中国主流存储领域的空白。

作为“工业食品”，芯片是从手机和电脑到人工智能、大数据和网络安全等行业的核心基础。目前，中国已经成为世界上最大的芯片消费国，但其90%的产品来自外国制造商。

为解决这一问题，2016年3月，紫光集团、联合国集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北分公司投资共同投资建设武汉东湖高新区国家记忆基地项目(600133，诊断单元)。四个月后，长江仓储科技有限公司成立，成为项目的主体。根据规划，该项目总投资为240亿美元，占地面积1968亩，将建设三个单一的3D与非门闪存生产厂，清洁面积居世界之首。项目核心生产厂房和设备每平方米投资强度超过3万美元，项目一期总产能将达到30万台/月，年产值将超过100亿美元。

“国家存储基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展的突破口，也是打破西方国家垄断的重要起点。在未来10年左右的时间里，紫光集团将投资至少1000亿美元来促进相关产业的发展。”紫光集团董事长、长江仓储董事长赵卫国在接受《经济日报》采访时表示。

“一方面，中国在核心技术和产品结构上与世界一流水平仍有差距。赶超的目标不是一次性的。保持高投资需要坚定的战略决心和长期的耐力和信心；另一方面，未来5至10年将是中国集成电路产业发展的最佳窗口时期。既然存储芯片被选为切入点和突破点，紫光集团和长江存储必须抓住机遇，迎接挑战，克服困难。通过非凡的投资，开发周期得以缩短，并迅速进入全球存储行业的竞争舞台。”赵卫国说。

专家告诉记者，长江蓄水的起点“不仅不低，而且很高”。一个典型的证明是，一旦项目投入生产，3d nand闪存就会生产出来。这种闪存改变了以往平板闪存的架构，实现了三维堆叠。“这种差别相当于从平房到楼房的飞跃”。

“业界普遍认为，3d nand闪存是中国存储器芯片制造业赶超这一曲线的最佳机会。”赵卫国告诉记者，中国第一个32层3D与非门闪存芯片去年由国家存储基地成功开发，是中国制造技术最接近国际高端水平的主流芯片，在填补中国企业芯片领域迈出了重要一步。4月9日，该芯片获得中国电子信息博览会金奖。

长江仓储执行董事长高启权透露，未来几个月将安装和调试近3000台生产机器。预计7月底或8月初将具备试生产条件，年内将生产5000片32层三维nand闪存芯片；2019年，32层三维nand闪存芯片产量将增加到每年10万片，64层三维nand闪存芯片将在年底进行试生产；到2020年，64层3D与非门闪存芯片的生产能力将提高到每年10万片，并将开发出128层具有全球先进水平的3D与非门闪存芯片。

国务院发布的《中部崛起“十三五”规划》明确提出“支持武汉、合肥建设记忆产业基地”。目前，湖北省和武汉市正在全省乃至全市范围内努力将该项目转化为跨越1000亿元的高新技术产业项目。武汉市相关负责人告诉记者，在加快内存芯片批量生产的同时，武汉东湖高新区将加大企业在设计、设备、材料、封装测试、存储控制等方面的投入。，尽快构建“芯片-显示-终端”的完整产业链，形成万亿级产业集群。(经济日报记者郑通讯员)

来源：荆州新闻